当地时间7月9日，美光科技作为全球存储芯片三巨头之一，宣布将大幅增加美国本土制造的投资。公司计划到2035年，将美国的晶圆厂及技术投资总额提升到超过2500亿美元，比原先承诺的2000亿美元增加了约500亿美元。

这一消息公布后，美光科技的股价在周四美股盘初一度上涨超过9%，盘中最高达到了1034美元。尽管尾盘时的涨幅有所收窄，但最终收涨了4.52%，报991.64美元，总市值达到了1.12万亿美元。

美光科技股价的走势

从今年4月14日的465.66美元到7月9日收盘的991.64美元，短短三个月内，美光科技股价累计上涨了约113%，市值翻了一番。这使其成为本轮AI市场中表现最为突出的半导体公司之一。

公司公布，此次超过2500亿美元的投资将分散在纽约州、爱达荷州、弗吉尼亚州等多个地区。投资领域包括新建晶圆厂、扩大现有生产规模以及先进技术的研发。美光科技表示，增加投资的一个目标是在美国本土生产约40%的DRAM，从而进一步提高本土供应链的自主控制能力。

值得注意的是，在美光科技宣布投资计划的同一天，公司位于纽约州克莱镇的新工厂完成了首次混凝土浇筑，这一进度比原定计划提前了三个季度，项目的推进速度超出了市场预期。此外，公司还宣布将投入约30亿美元用于加强半导体上游材料环节的建设。同时，美光科技有意与主要客户签订长达10年的晶圆供应协议，从单纯的“建厂”扩展到“锁定原料”和“锁定订单”。

在美光科技激进的投资计划背后，是公司最新公布的业绩报告。6月24日盘后，美光科技发布了2026财年第三季度的财报，显示营收高达414.6亿美元，同比增长了346%，环比增长了74%，创下公司历史最高的单季营收。这一业绩超出华尔街预期的约356亿美元，达到了近58亿美元的差距。在盈利方面，Non-GAAP净利润上涨至288.6亿美元，同比增加了约1224%，是去年同期的13倍。本季度美光科技毛利率提升到了84.9%，创下了公司自1978年成立以来的最高水平，较2025财年同期的39%高出45.9个百分点。这一毛利率不仅远超过行业平均水平，还首次超越同期英伟达的73.6%。财报发布后，美光科技股价单日上涨超过15%。

在AI算力革命的推动下，存储行业出现了结构性供需失衡，其中高带宽内存（HBM）成为了最大的增长点。预计今年AI相关DRAM需求占比将超过53%。在供应端，三星、SK海力士、美光科技等巨头将先进产能主要投向高附加值的HBM存储产品，导致通用存储产能的投放减少，供需缺口不断扩大。作为全球最大的三家DRAM原厂，三星电子、SK海力士和美光科技的市场份额超过九成。在此背景下，美光科技设立了将DRAM本土产能占比提高到40%的目标。

此前，高盛已将美光科技的12个月目标股价从400美元调整为900美元，同时维持对该公司股票的“中性”评级。高盛还同步将美光科技2026年和2027年的营收预期和非GAAP每股收益预期分别提高了28%和36%，反映出行业更强的定价趋势和需求增长潜力。

值得注意的是，在美光科技宣布最新投资计划之前，韩国已经率先启动了本国存储产能扩张计划。6月29日，韩国政府联合三星和SK集团公布了总金额为4755万亿韩元的国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三大核心超级项目全面展开。其中，三星承诺投资2655万亿韩元，SK集团投入约2100万亿韩元。半导体被视为本轮投资的重中之重，韩国计划在西南部的光州、全罗区域投资约800万亿韩元（约合5180亿美元），用于新建四座存储芯片晶圆制造厂，由三星电子和SK海力士各承建两座，目标是五年内实现韩国国内DRAM产能翻倍。

不过，有分析人士指出，如果本轮各厂商扩大产能的计划在未来几年内集中实现，而需求增长无法同步匹配，可能会导致市场出现产能过剩的情况。